在科技迅猛發(fā)展的今天，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)無疑是顆璀璨的明珠。特別是，高純石墨制品在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用，更成為了眾人關(guān)注的焦點(diǎn)。這一領(lǐng)域不僅見證了技術(shù)的重大突破，同時(shí)也面臨著諸多亟待解決的挑戰(zhàn)。

高純石墨在單晶生長(zhǎng)設(shè)備的應(yīng)用

高純石墨制品在第三代半導(dǎo)體單晶生長(zhǎng)設(shè)備中扮演著至關(guān)重要的角色。以碳化硅單晶生長(zhǎng)爐為例，石墨坩堝和石墨加熱器都離不開高純石墨。同樣，在GaN外延生長(zhǎng)過程中，石墨基座同樣不可或缺，無論是用于抗高溫?zé)g的石墨基座，還是GaN薄膜外延生長(zhǎng)的承載基座。這些應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)部件提出了耐高溫、熱傳導(dǎo)均勻、化學(xué)穩(wěn)定性佳、抗熱震能力強(qiáng)等要求，而高純石墨材料恰好符合這些要求。在生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)，工程師們細(xì)致地組裝這些石墨部件，以保證晶體生長(zhǎng)設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行。

小尺寸的石墨產(chǎn)品或許能較好地滿足純度等方面的需求，然而，隨著需求的不斷增長(zhǎng)，SiC單晶所需的石墨產(chǎn)品正逐漸向大尺寸過渡。這種轉(zhuǎn)變往往會(huì)導(dǎo)致石墨產(chǎn)品表面與內(nèi)部的純度分布不均，從而無法滿足實(shí)際應(yīng)用的標(biāo)準(zhǔn)，這無疑給研發(fā)人員帶來了一個(gè)棘手的難題。

石墨涂層材料的選擇

GaN薄膜外延生長(zhǎng)承載基座中的反應(yīng)腔內(nèi)關(guān)鍵部件，對(duì)它的要求是多方面的。石墨作為優(yōu)質(zhì)的基礎(chǔ)材料，其上選擇合適的涂層尤為重要。以SiC為例，它不僅半導(dǎo)體性能出色，還擁有耐腐蝕和化學(xué)穩(wěn)定性高等優(yōu)點(diǎn)。更重要的是，SiC的熱膨脹系數(shù)與石墨相近，這使得它成為石墨基座表面涂層的優(yōu)選材料之一。

實(shí)驗(yàn)室里，研發(fā)團(tuán)隊(duì)進(jìn)行了眾多對(duì)比試驗(yàn)。他們測(cè)試了不同材料組合，在多種溫度、濕度等環(huán)境下的反應(yīng)情況。經(jīng)過長(zhǎng)期的數(shù)據(jù)搜集與分析，SiC材料在眾多選項(xiàng)中表現(xiàn)優(yōu)異。這一選擇，為后續(xù)的設(shè)備制造和半導(dǎo)體生產(chǎn)打下了穩(wěn)固的材料基礎(chǔ)。

離子注入裝置中的石墨材料

離子注入在半導(dǎo)體制造中扮演著至關(guān)重要的角色，它通過將硼、磷、砷等粒子加速至特定能量，然后注入晶圓材料的表面。這一過程對(duì)離子注入設(shè)備組件的材料提出了極高的要求，這些材料必須具備出色的耐熱性、良好的導(dǎo)熱性、較低的離子束腐蝕風(fēng)險(xiǎn)以及低雜質(zhì)含量。

在離子注入裝置的生產(chǎn)車間，執(zhí)行著嚴(yán)格的質(zhì)量檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)。工作人員對(duì)每一個(gè)可能使用的材料樣本進(jìn)行細(xì)致的測(cè)試。石墨，在離子轟擊或等離子等極端工作條件下，展現(xiàn)出其不易被腐蝕的特性。這一特性使得石墨能夠被用于等離子蝕刻設(shè)備的部件，例如石墨電極。在等離子蝕刻設(shè)備的運(yùn)行中，石墨電極因其獨(dú)特的價(jià)值而顯得尤為重要。

柔性石墨箔的半導(dǎo)體應(yīng)用

柔性石墨箔是用天然膨脹石墨制作的，雖然看起來并不顯眼，但在半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用中卻發(fā)揮著不可小覷的作用。它能提升系統(tǒng)和工藝的性能，而在實(shí)際的生產(chǎn)測(cè)試中，我們發(fā)現(xiàn)它還能有效減少能耗，并確保生產(chǎn)過程的穩(wěn)定可靠。在半導(dǎo)體生產(chǎn)線運(yùn)行的過程中，柔性石墨箔宛如一位默默無聞的小助手，雖然不引人注目，卻是必不可少的。

半導(dǎo)體工廠中，各式設(shè)備對(duì)材料性能的要求各異。柔性石墨箔因其卓越的靈活性，在滿足各種設(shè)備和工藝需求方面表現(xiàn)突出。這種靈活性讓它在半導(dǎo)體生產(chǎn)過程中的復(fù)雜環(huán)節(jié)中占據(jù)一席之地，成為企業(yè)實(shí)現(xiàn)節(jié)能降耗、提高效益的關(guān)鍵助力。

大尺寸石墨制品的純化工藝

SiC單晶生產(chǎn)中，所需的石墨制品多為大尺寸，而之前提到的表面和內(nèi)部純度不均勻的問題亟待解決。針對(duì)這一難題，我們應(yīng)采用獨(dú)特的高溫?zé)峄瘜W(xué)脈沖提純工藝。這一工藝能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)大尺寸或異型石墨制品的深度、均勻提純，確保產(chǎn)品表面及芯部的純度均能滿足使用要求。

研發(fā)團(tuán)隊(duì)面臨著重重挑戰(zhàn)，他們投入了大量的時(shí)間和精力去實(shí)驗(yàn)和改進(jìn)這項(xiàng)工藝。從最初的摸索到逐步調(diào)整參數(shù)，這一過程需要記錄的數(shù)據(jù)量相當(dāng)龐大。然而，他們的努力沒有白費(fèi)，這一工藝的成功研發(fā)為石墨制品在大尺寸半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用開辟了新的道路。

滿足超低灰分要求的技術(shù)

為了滿足半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對(duì)石墨制品超低灰分的需求，相關(guān)技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。借助高溫真空純化設(shè)備及其他技術(shù)手段，產(chǎn)品灰分得以降至5×10^-6以下。這不僅滿足了產(chǎn)業(yè)對(duì)產(chǎn)品純度的高標(biāo)準(zhǔn)要求，同時(shí)也確保了半導(dǎo)體產(chǎn)品整體質(zhì)量的穩(wěn)定。

石墨制品生產(chǎn)廠內(nèi)，先進(jìn)設(shè)備正忙碌運(yùn)轉(zhuǎn)。技術(shù)人員全程監(jiān)控，細(xì)致檢查生產(chǎn)過程中的各項(xiàng)參數(shù)，保證每一件石墨制品都符合超低灰分標(biāo)準(zhǔn)。這對(duì)半導(dǎo)體生產(chǎn)鏈條的穩(wěn)定與進(jìn)步，意義尤為重大。

最后有個(gè)問題想和大家探討，關(guān)于高純石墨制品在推動(dòng)第三代半導(dǎo)體發(fā)展的大道上，你認(rèn)為還有哪些技術(shù)可以進(jìn)一步優(yōu)化？期待大家的熱情討論，也歡迎點(diǎn)贊和轉(zhuǎn)發(fā)這篇文章。